LiAlO2-Substrate für GaN-basierte Optoelektronik

Das Verbundprojekt hat das Ziel, LiAlO2-Kristalle mit einem Durchmesser von 2 Zoll als Wafer für die GaN-Epitaxie zu entwickeln. Das Teilprojekt der HUB beschäftigt sich insbesondere mit der Charakterisierung der am IKZ gezüchteten Substratkristalle sowie der am FBH epitaktisch hergestellten LiAlO2/GaN-Grenzflächen mit elektronenmikroskopischen Methoden.