Basistechnologien für grüne Laserdioden: TP Epitaxieentwicklung für ZnO-Heterostrukturen

Im Rahmen des Vorhabens sollen Grundlagenuntersuchungen zur zukünftigen Realisierung grüner Laserdioden durchgeführt werden. Damit sollen die Grundlagen für die spätere gezielte Entwicklung grüner Laserdioden auf der Basis der beiden prinzipiell in Frage kommenden Materialsysteme (Al)GaInN und ZnO gelegt werden. Die Basis für die spätere Bauelementeentwicklung sind zum einen möglichst defektarme, perfekt einkristalline und hochreine Ausgangssubstrate. ZnO-Substrate, die diesen Forderungen entsprechen, sind derzeit weltweit nicht verfügbar. Im Rahmen dieses Vorhabens sollen durch das IKZ neue, viel versprechende Ansätze zur Kristallzüchtung von ZnO untersucht und die Grundlagen der Konfektionierung in Wafer gelegt werden. Diese Wafer sollen durch die HUB auf ihre Eignung zur Epitaxie von ZnO-Strukturen hin beurteilt werden. Bei der Epitaxie von ZnO gibt es derzeit noch das Problem, eine reproduzierbare p-Dotierung zu erreichen. An der HUB werden Ansätze zu einer solchen p-Dotierung untersucht, die Vorbedingung für eine spätere gezielte Bauelementeentwicklung sind. Das FBH wird Grundlagenuntersuchungen zu Ätztechniken und zu metallischen Kontakten zu ZnO durchführen. Darüber hinaus werden die Grundlagen für die Herstellung von GaInN-Pseudosubstraten für AlGaInN-Laserstrukturen im grünen Spektralbereich untersucht. Gesamtziel ist es damit einen Beitrag zur Lösung wichtiger derzeit noch bestehender Fragen auf dem Weg zu grünen Halbleiterlaserdioden zu leisten.