DFG-Sachbeihilfe: Terahertz Quantenkaskadenlaser auf Basis von Manipulation der Grenzschichtenrauigkeiten InGaAs/InAlAs Heterostrukturen auf InP

Es gibt zwei Streumechanismen in Quantenkaskadenlasern, die zu einem parasitären Strom in der Übergangsregion führen und damit die Effizienz verringern. Diese sind die Streuung durch longitudinal-optische Phononen sowie die Streuung durch Grenzflächenrauigkeit (IFR). Die IFR-Streuung kann reduziert werden, indem eine flache und dickere Barriere anstelle der traditionell dünnen und hohen Barriere in der Mitte der Übergangsregion verwendet werden. Die IFR-Streuung kann auch durch eine weniger raue Grenzfläche bei Wachstum auf off-cut Substraten verringert werden.
Das Ziel der vorgeschlagenen Forschung ist es, zwei komplementäre Ansätze zur Manipulation der Streuung durch Grenzflächenrauigkeit (IFR) in InGaAs/InAlAs THz Quantenkaskadenlasern zu untersuchen. Damit soll die Leistungsfähigkeit von InGaAs/InAlAs THz QCL bei hohen Temperaturen verbessert werden.