Ladungstransfer an Heterogrenzflächen organischer Halbleiter: Zu einer einheitlichen Beschreibung von Szenarien im Übergangsbereich zwischen Grundzustand bzw. angeregtem Zustand

In diesem Projektantrag untersuchen wir den Landungstransfer an
Hetero-Grenzflächen organischer Halbleiter. Unser Ziel ist das
umfassende Verständnis der elektronischen Prozesse und optischen
Eigenschaften durch die Verwendung komplementärer
experimenteller Methoden, einschließlich Wachstums- und
Strukturstudien, Untersuchung des elektrischen Transportes,
optischer Spektroskopie und die Analyse der elektronischen Struktur.
Auswirkungen des Ladungstranfers äußern sich dabei sowohl im
Grundzustand, als auch nach optischer Anregung. Passende
Materialkombinationen, die den Ladungstransfer über die
gemeinsame Grenzfläche erlauben, werden identifiziert und die
elektronischen Eigenschaften der resultierenden Grenzfläche
untersucht. Dabei stehen der Grad des Ladungstransfers, die
Bindungsenergie und die Anisotropie des Ladungstransferzustandes
sowie die Form der Zustandsdichte im Mittelpunkt.