Nanoskalige III-V / Silizium Heterostrukturen für hocheffiziente Solarzellen

Planare Quantentopfstrukturen für höchsteffiziente Solarzellen werden mit Hilfe der "gas-source" Molekularstrahlepitaxie (GSMBE) vorbereitet. Diese Strukturen sind für das Projekt in den folgenden Zusammenhängen wichtig: 1. Wissenschaftliche Untersuchungen und Bench-marking neuer, schon demonstrierten Solarzell-Designs basierend auf planaren Quantentöpfen (QWs), 2. Untersuchung der Einsatzfähigkeit von Mehrphotonenprozessen für erhöhte Effizienz in Solarzellen, 3. Untersuchungen der Quantentopfstrukturen bzgl. ihrer Integration in an der UDE entwickelten Kern-Mantel Nanodrähten, 4. Bench-marking der Effizienz von Quantentopfstrukturen auf Si- und/oder Ge-Substraten zum Vergleich mit solchen Strukturen auf III-V-Substraten. Die Hauptmethode ist das Wachstum mittels GSMBE. Die Messungen der gewachsenen Strukturen lassen sich in drei Kategorien einteilen: strukturelle Untersuchungen (sowohl kristallographisch als auch elektronisch), Ladungsträgerdynamik und solare Konversionseffizienz. Das Wachstum und die strukturellen Messungen, u.a. mittels Röntgenbeugung (XRD), werden an der Humboldt-Universität durchgeführt. Die Messungen zur Ladungsträgerdynamik sind im Teilprojekt des Helmholz-Zentrums beschrieben und die Messungen zur Konversionseffizienz im Teilprojekt der AZUR Space GmbH. Unterziel 4 benötigt hierbei als Input sowohl auf Si- und Ge-gewachsene III-V "Pseudosubstrate" aus dem Teilprojekt der TUI als auch theoretischen Input aus dem Teilprojekt der TUB.