SFB 296 III-IV: Herstellung und Hoch-Magnetfeld-Charakterisierung von II-VI-Quantenpunkten (Teilprojekt B 7)

Selbstorganisiertes epitaktisches Wachstum auf vorstrukturierten GaAs-Substraten, ZnSe- bzw. ZnTe-Quantendrähte und Untersuchung ihrer elektronischen Zustände. Speziell soll der Einfluss der Restspannungen auf die Zustände des Quantendrahtes untersucht und minimiert werden. Dabei werden zwei Möglichkeiten verfolgt: a) Strukturierung in Richtung senkrecht zur Substratoberfläche durch Quantentröge oder Supergitter der Komponenten ZnSe/Zn(Mn)Te. b) Strukturierung in Richtung senkrecht zur Substratoberfläche durch eine MIS-induzierte Raumladungszone direkt im Firstbereich der chemisch homogenen gewachsenen Dachstruktur aus reinem ZnSe bzw. ZnTe.