SFB 296 III-IV: Strukturelle Charakterisierung mesoskopischer Grenzflächenstrukturen mittels diffuser Röntgenstreuung (Teilprojekt A 3)

Für das Verständnis der elektronischen Eigenschaften mesoskopischer Strukturen (Abmessungen im Nanometerbereich) in Halbleiterschichtsystemen muss auch die Form, die Positionskorrelation und der Deformationszustand dieser Strukturen bekannt sein. Informationen zu den genannten Parametern sollen im vorliegenden Projekt aus der diffusen Röntgenstreuung gewonnen werden. Dazu sind einerseits Messungen in verschiedenen Geometrien und mit intensiven Röntgenquellen, zu einem erheblichen Teil mittels Synchrotronstrahlung, und andererseits eine Auswertung erforderlich, die auf Simulationsrechnungen zur diffusen Röntgenstreuung beruht. Ein für die Hochauflösungsbeugung entwickeltes Verfahren soll im breiteren Maße angewandt und mittels neuer theoretischer Ansätze auch auf Beugungsgeometrie bei streifendem Einfall und/oder Austritt der Röntgenstrahlung angewandt werden.