INSTITUT FÜR WERKSTOFF- UND VERFAHRENSTECHNIK

Mikrodefekte in GaAs-Schichten auf Siliziumsubstraten

Das Projekt befaßt sich mit der Herstellung und der Untersuchung von GaAs-Schichten auf Si-Substraten. Bei der Optimierung des Werkstoffsystems wurden die Wechselbeziehungen zwischen Material, Funktion und Eigenschaften zugrundegelegt. Im Rahmen der Schichtherstellung wurde eine Vielzahl von Technologiemodifikationen vorgenommen und die Auswirkungen auf die Schichtqualität mit Meßmethoden wie Photolumineszens, DLTS, Differentialreflektometrie Röntgenbeugung, C(V)-und I(U)-Messungen sowie SIMS-Messungen untersucht.

Schlagworte:

Mikrodefekte; Galliumarsenid auf Silizium; Molekularstrahlepitaxie; Epitaxieschicht-eigenschaften;

Leitung / Koordination des Vorhabens

Prof. Dr. Günter Heymann;

Weitere beteiligte Wissenschaftler/innen:

Dr. K.-R. Sprung; K. Wilke; B. Budnick; H. Recknagel;

Laufzeit

01/1992 - 12/1994

Publikationen

• K. Wilke et al.: Si interdiffusion during MBE growth of GaAs on Si, Institute of Physics Conference Series 129, IOP Publishing Ltd. London 1992
  
• K.-R .Sprung et al.: GaAs single domain growth on exact (100)Si substrates, Appl. Phys. Lett., 1993
  
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Material- und herstellungsinduzierte Defekte an Metall/Halbleiter Schottky-Kontakten

Die Wirkungsweise gleichrichtender Metall/GaAs-Kontakte wurde abhängig von Charakter, Dichte und Verteilung vorhandener und prozeßinduzierter Kristallstörungen behandelt. Es wurden die Kontaktwerkstoffe, die Abscheidebedingungen, die Oberflächenvor- und nachbehandlung bezüglich ihrer Wechselwirkungsdynamik zur Schottkybarriere untersucht.

Schlagworte:

Schottkykontakte; Festkörpergrenzflächen; Kontaktabscheidetechnologien; Defektdynamik; Eigenschaften, Elektronische;

Leitung / Koordination des Vorhabens

Prof. Dr. Günter Heymann;

Weitere beteiligte Wissenschaftler/innen:

Dr. M. Ludwig; H. Hoenow; Dr. P. Janietz; Dr. R. Schesinger;

Laufzeit

10/1991 - 03/1994

Publikationen

• M. Ludwig et al.: ....., Appl. Surf. Sci. 68, 1993
  
• M. Ludwig, R. Hummel: ....., Proc. of the Mat. Res. Soc., San Francisco 1993
  
• H. Hoenow, H.-G. Bach, G. Heymann: ...., Proc. SSDM, Chiba, Japan 1993
  
• H. Hoenow, H.-G. Bach, J. Böttcher: ....., Proc. 4. Int. Conf. on InP and Rel. Mat. (IPRM), 1992
  
• H. Hoenow, H.-G. Bach: ....., Proc. 20. Int. Symp. on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1993