SFB 951/1: HIOS - All-epitaxial inorganic/organic semiconductor nanostructures (TP A 5)

Durch Ausnutzung der atomistischen, elektrostatischen und topologischen Struktur von anorganischen Halbleiteroberflächen (ZnO, GaN) soll nach Epitaxie-ähnliche Regimen für das anorganisch/organische Hybridwachstum gesucht werden. Ziel ist die Erzeugung von HIOS mit definierten Grenzflächen, hoher Ordnung und einem optimierten Design durch Verwendung einer anorganisch/organischen UHV-Tandem-Beschichtungsapparatur. Es sollen die grundlegenden Wachstumsmechanismen aufgeklärt als auch funktionale Heterostrukturen mit effizienter elektronischer, exzitonischer und photonischer Kopplung hergestellt werden.