Ladungstransfer an Heterogrenzflächen organischer Halbleiter

In diesem Projekt planen wir die Untersuchung des Ladungstransfers an Hetero-Grenzflächen organischer Halbleiter. Unser Ziel ist das umfassende Verständnis der elektronischen Prozesse durch die Verwendung komplementärer, experimenteller Methoden, einschließlich Wachstums- und Strukturstudien, Untersuchung des elektrischen Transportes, optischer Spektroskopie und die Analyse der elektronischen Struktur. Grenzflächendotierung ist ein viel versprechender Ansatz, um die elektronischen Eigenschaften organischer Halbleiter einzustellen, ohne die Anordnung der Moleküle signifikant zu verändern. Wir beabsichtigen die Beobachtung und Nutzung von Ladungstransfer-Effekten, die im Grundzustand erfolgen. Passende Materialkombinationen, die den Ladungstransfer über die gegenseitige Grenzfläche erlauben, werden identifiziert und die elektronischen Eigenschaften der resultierenden Grenzfläche werden untersucht. Mit der systematischen Veränderung des Energieunterschieds zwischen den HOMO des Donators und den LUMO des Akzeptors wollen wir die elektronischen Eigenschaften der Grenzflächen einstellen.