SFB 951/1: HIOS - Adjusting energy levels of hybrid inorganic/organic heterostructures (TP A 8)

Ein grundlegendes Verständnis der elektronischen Struktur der Grenzflächen in HIOS aus ZnO und konjugierten organischen Molekülen soll erarbeitet werden. Als Untersuchungsmethoden dienen vorwiegend die Photoelektronenspektroskopie und die Kelvin-Sonde. Darüberhinaus werden Methoden zur Anpassung der Energieniveaus an solchen Grenzflächen entwickelt, die es erlauben, entweder Energie- oder Ladungs-Transfer zu optimieren. Dazu kommen einerseits Moleküle mit ausgeprägtem Elektronen-Donor und -Akzeptor Charakter zum Einsatz, und andererseits kovalent gebundene selbstassemblierte Monoschichten.